汕头华汕电子器件有限公司
Silicon
Controlled
Rectifier
对应�½外型号
BT151-600
HCP12C60
█ 主要用途
单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。
█ 极限值
（T
j
=25℃）
T
stg
——贮存温度 …………………………………………………
-40~150℃
T
j
——结温 …………………………………………………………-40~125℃
V
DRM
——重复峰值断态电压
…………………………………………600V
█ 外�½�图及引脚排列
I
T
（
RMS
）——RMS 通态电流���均方值）………………………………
12A
I
T(AV)
——平均通态电流（半正弦波，T
C
=109℃）…………………… 7.6A
I
TSM
——浪涌通态电流(1/2 周期,60H
Z,
正弦波,不重复) ……………
132A
V
RGM
—反向峰值门极电压 ………………………………………………5V
I
FGM
——正向峰值门极电流 …………………………………………2.0A
P
GM
——峰值门极功耗……………………………………………………5.0W
█ 电参数
（T
c
=25℃）
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单 �½�
测
V
AK
=V
DRM
试
条
件
I
DRM
重复峰值断态电流
10
200
uA
uA
V
mA
V
V
20
200
1.3
60
T
c
=25℃
T
c
=125℃
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
(dv/dt)c
峰值通态电压(1)
门极触发电流(2)
门极触发电压(2)
门极不触发电压(1)
维持电流
最�½�电压上升率
热阻
热阻
0.2
1.6
15
1.5
I
TM
=24A，tp=380us
V
AK
=6V（DC）, R
L
=10 ohm
T
c
=25℃
V
AK
=6V（DC）, R
L
=10 ohm
T
c
=25℃
V
AK
=12V, R
L
=100 ohm
T
c
=125
℃
mA
V/us
℃/W
℃/W
I
T
=100mA,
栅极开路
T
c
=25
℃
线 性 倾 斜 上 升 至
V
D
=V
DRM
67%,
栅极开路,T
j
=125℃
Rth(j-c)
Rth(j-a)
结到外壳
结到环境
ETC [ ETC ]
