图
2：
隔离
PROG
引脚上的容性负�½½
：
和滤波电路
功率损耗
TP4056
因热反馈的缘故而减小充电电流的
条件可通过
IC
中的功率损耗来估算。这种功率
损耗几乎全部�½是由内部
MOSFET
产生的――
这可由下式近似求出：
P
D
=
(
V
CC
−
V
BAT
)
•
I
BAT
式中的
P
D
为耗散的功率，
CC
为输入电源电压，
V
V
BAT
为电池电压，
BAT
为充电电流。
I
�½�热反馈开
始对
IC
提供保护时，环境温度近似为：
T
A
=
145
°
C
−
P
D
θ
JA
T
A
=
145
°
C
−
(
V
CC
−
V
BAT
)
•
I
BAT
•
θ
JA
实例：
通过编程�½�一个从
5V
电源获得工�½�电源
的
TP4056
向一个具有
3.75V
电压的放电锂离子
电 池 提 供
800mA
满 幅 度 电 流 。 假 设
θ
JA
为
图
1：
一个典型充电循环的状态图
：
150℃/W
（ 请 参 见 电 路 板 布 局 的 考 虑 ） �½�
，
TP4056
开始减小充电电流时，
环境温度近似为：
稳定性的考虑
在恒定电流模式中，�½�于反馈环路中的是
PROG
引脚，
而不是电池。
恒定电流模式的稳定
性受
PROG
引脚阻抗的�½�响。�½�
PROG
引脚上
没有附加电容会减小设定电阻器的最大容许阻
值。PROG 引脚上的极点频率应保持在
C
PROG
，
则可采用下式来计算
R
PROG
的最大电阻值：
T
A
=
145
°
C
−
(5
V
−
3.75
V
)
•
(800
mA
)
•
150
°
C
/
W
T
A
=
145
°
C
−
0.5
W
•
150
°
C
/
W
=
145
°
C
−
75
°
C
T
A
=
65
°
C
TP4056
可在
65℃以上的环境温度条件下�½�用，
�½�充电电流将被降至
800mA
以下。对于一个给
定的环境温度，充电电流可有下式近似求出：
I
BAT
=
R
PROG
≤
1
2
π
•
10
5
•
C
PROG
145
°
C
−
T
A
(
V
CC
−
V
BAT
)
•
θ
JA
对用户来说，他们更感兴趣的可�½是充电
电流，而不是瞬态电流。例如，如果一个运行
在�½�电流模式的开关电源与电池并联，则从
BAT
引脚流出的平均电流通常比瞬态电流脉冲
更加重要。在这种场合，可在
PROG
引脚上采
用一个简单的
RC
滤波器来测量平均的电池电
流（如图
2
所示）
。在
PROG
引脚和滤波电容器
之间增设了一个
10k
电阻器以确保稳定性。
正如工�½�原理部分所讨论的那样，�½�热反馈�½�
充电电流减小时，
PROG
引脚上的电压也将成比
例地减小。
切记不需要在
TP4056
应用设计中考虑最
坏的热条件，这一点很重要，因为该
IC
将在结
温达到
145℃左右时自动降�½�功耗。
热考虑
由于
SOP8
封装的外�½�尺寸很小，因此，需
要采用一个热设计精良的
PC
板布局以最大幅
ETC [ ETC ]
