安森美半导体
功率MOSFET ， 30 V ， 23 A单N沟道， u8FL
30V ，单N通道， u8FL
30V ，单N通道， u8FL
30V ，单N通道， u8FL
30V ， Sinle N通道， u8FL
30V ，单N通道， u8FL
30V ，单N通道， u8FL
功率MOSFET -60 V， -20 ， 52欧姆
功率MOSFET ， 40 V ， 53 A， 6.4毫欧， U-8 FL
功率MOSFET ， 60 V ， 37 A， 11.5毫欧
数据表
功率MOSFET -2.4安培，伏特-20
功率MOSFET -30 V， -2.48 A，P沟道增强型单
Micro8™
(118.0kB)
(112.0kB)
(111.0kB)
(111.0kB)
(111.0kB)
(111.0kB)
(109.0kB)
(111.0kB)
(111.0kB)
(110.0kB)
(108.0kB)
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(74.0kB)
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小信号MOSFET 20 V 200毫安/ -180毫安，互补， 1.0 X
(114.0kB)
1.0毫米SOT- 963封装
小信号MOSFET 20 V 200毫安，双N沟道，1.0毫米× 1.0
毫米SOT- 963封装
小信号MOSFET -20 V， -180mA ，双P沟道， 1.0 X 1.0毫米
SOT- 963封装
小信号MOSFET 20 V ， 220毫安-200毫安，互补， 1.0×
1.0毫米SOT- 963封装
小信号MOSFET的20 V双N沟道SOT- 963封装
小信号MOSFET -20 V双P沟道SOT- 963封装
NTVB TSPD系列SMB
功率MOSFET的100 V， 123 A， N沟道增强型TO264
小信号MOSFET -20 V， -430毫安，双P通道带ESD
保护， SOT- 563
小信号MOSFET 20 V 540毫安，双N通道带ESD
保护， SOT- 563
小信号MOSFET互补20 V 540毫安/ -430mA ，与
ESD保护， SOT- 563
NTZD3156C
小信号MOSFET 60 V 310毫安，双N通道带ESD
保护
小信号MOSFET -20 V， -950毫安， P沟道SOT- 563
集成的共模
FET开关100 V， N沟道
NUD3105LT1集成继电器，感性负载驱动
NUD3105DMT1集成继电器，感性负载驱动
集成继电器，感性负载驱动
汽车感性负载驱动
工业感性负载驱动
高电流LED驱动器
低电流LED驱动器
LED开路保护器
USB上游终结者带ESD保护
USB过滤器与ESD保护
2号线音频EMI滤波器与ESD保护
2号线音频EMI滤波器与ESD保护
USB上游终结者带ESD保护
2号线USB 1.1上行EMI滤波器
2号线EMI滤波器与ESD保护
与ESD保护集成无源滤波器
2号线EMI滤波器与ESD保护UDFN8套餐
三线EMI滤波器
低电容3号线EMI滤波器与ESD保护UDFN8
包
低电容4线EMI滤波器与ESD保护UDFN8
包
低电容4线EMI滤波器与ESD保护UDFN8
包
(81.0kB)
(81.0kB)
(118.0kB)
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(142.0kB)
(138.0kB)
http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/supportDoc.do[2011-10-15 10点59分51秒]
ETC [ ETC ]
