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MUR860G产品参数
型号:MUR860G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:TO-220AC
包装说明:R-PSFM-T2
针数:2
制造商包装代码:221B-04
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.81
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/171078.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=171078
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=171078
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=171078
Samacsys PartID:171078
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/MUR860G.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MUR860G.jpg
Samacsys Pin Count:2
Samacsys Part Category:Diode
Samacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO-220 TWO-LEAD CASE 221B-04
Samacsys Released Date:2015-11-03 12:30:39
Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, PD-CASE
应用:ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 V
JEDEC-95代码:TO-220AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:75 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:100 µA
最大反向恢复时间:0.07 µs
反向测试电压:600 V
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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