NCV8406ASTT3G晶体管 MOSFET
商品详情
制造商: | onsemi | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
REACH - SVHC: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-223-4 | |
晶体管极性: | N-Channel | |
通道数量: | 1 Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 65 V | |
Id-连续漏极电流: | 7 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 210 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 14 V, + 14 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V | |
Qg-栅极电荷: | - | |
最小工作温度: | - 40 C | |
最大工作温度: | + 150 C | |
Pd-功率耗散: | 1.25 W | |
通道模式: | Enhancement | |
资格: | AEC-Q101 | |
系列: | NCV8406A | |
封装: | Reel | |
封装: | Cut Tape | |
封装: | MouseReel | |
商标: | onsemi | |
配置: | Single | |
下降时间: | 692 ns | |
产品类型: | MOSFET | |
上升时间: | 486 ns | |
工厂包装数量: | 4000 | |
子类别: | MOSFETs | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 1600 ns | |
典型接通延迟时间: | 127 ns | |
单位重量: | 250 mg |