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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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R1Q2A3609ABG-40R产品参数
型号:R1Q2A3609ABG-40R
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA
包装说明:LBGA,
针数:165
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.86
Is Samacsys:N
JESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e0
长度:17 mm
内存密度:37748736 bit
内存集成电路类型:QDR SRAM
内存宽度:9
功能数量:1
端子数量:165
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:4MX9
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.46 mm
最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15 mm
Base Number Matches:1
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