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RN1101MFV Datasheet技术文件下载

RN1101MFV,L3F产品参数和技术文档

RN1101MFV产品图

RN1101MFV,L3F产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
8,000
0.02657
$212.52

RN1101MFV,L3F产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)
4.7 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
30 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
功率 - 最大值
150mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-723
供应商器件封装
VESM
标准包装
8,000
其它名称
RN1101MFV,L3F(B RN1101MFV,L3F(T RN1101MFVL3FTR
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • RN1101MFV
  • 深圳市吉之欣电子有限公司

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  • ▊现货▊ 
  • 10+ 
  • 211200 
  • SOT23-3 
  • ▊原厂原装▊TOS
     
  • 4-18 
  • 向我询价 和我即时交谈 和我即时交谈
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: R30420 RLB0914-151KL RLB0608-151KL RN-171-PICTAIL RSB16V RPM7240-H5 RC205 R-78B15-1.0 RI-TRP-RE2B-30 RP420005

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