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[求助分享] NMOS ESD器件


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发布时间:2011-10-11 10:48:40
NMOS ESD器件

图中漏端连接I/O PAD,而栅接地。当在I/O端出现正ESD脉冲时,漏/P阱结处于反偏,直到发生击穿为止。所产生的空穴电流通过B端流到地端,由于B、S端是短接的,所以使B/S结电压增加,最终使寄生的横向NPN打开,形成低阻通道泄放ESD电流,所以保护集成电路免受ESD损伤。对于负ESD瞬态,寄生的二极管泄放静电电荷。ggNMOS保护的优点是具有有效的保护机理,通过物理设计可以优化。主要缺点包括SPICE不兼容的snapback FV特性,保持点较高,面积利用率低、固有寄生效应等。通常需要采用多指型结构以实现更好的ESD牲能。但是,由于各指型是非均匀打开的,所以ESD性能在通常情况下不与指型的个数成正比。在每一个指型插入压舱电阻(Ballasting resistor)或使用栅耦合的NMOS结构可以证实以上问题。由于寄生的横向NPN管具有较低的增益,所以NMOS ESD结构的面积利用率较低。也可以采用场NMOS管作为保护器件。

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