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[求助分享] 场效应晶体管(FET)


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发布时间:2011-10-12 10:44:09
场效应晶体管(FET)

场效应晶体管(FET) 场效应晶体管包括PN结型场效应管(JFET)、金属半导体场效应管(MES-FET)及金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)等。与双极晶体管相比,FET具有许多不同的特点: ①它是一种电匿控制器件,而BJT是电流控制器件。 ②它是多子器件,因而无少子扩散引起的散粒噪声,仅有热噪声,故噪声很低;同时,它是一种单极器件,即只有一种极性的载流子参与工作,而BJT是双极的。 ③输入阻抗高,有利于放大器的直接耦合,且输入功耗小。 ④温度稳定性好,具有零或负的温度系数,大电流下工作稳定,增益在较高漏电流下为常数。 ⑤制造工艺较BJT简单,有利于提高集成度。 (1) PN结型场效应管(JFET) JFET是用PN结作为栅的FET,依靠加在PN结上的电压控制从结到耗尽层的宽度,从而改变沟道宽度、控制流过源和漏之间的电流的半导体器件。JFET的工作特性可以大部分与MESFET的工作特性作同样考虑,但由于栅极要用PN结,因而必须考虑PN结产生的耗尽量延迟程度的不同。一般而言,JFET具有如下特征: ①扩散电位可以达到1V以上,具有很大的工作余裕度。 ②可以外加高的栅电压,饱和电流可以设计得更大,得到高的跨导。 ③由于可以得到高的跨导和高的饱和电流,因而电路内的各个节点的充电时间加快,可以达到高速工作,但功耗趋于增大。 ④可以用选择性离子注入扩散形成N沟道和P沟道,适用于构成互补型电路。 ⑤用扩散和离子注入形成结,不适于微细化加工。外延结必须采用刻蚀等特殊加工技术。

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