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发布时间:2011-10-12 10:45:30
金属半导体场效应管(MESFET)

金属半导体场效应管(MESFET) MESFET与JFET的主要区别是用金属半导体接触形成的肖特基势垒代替PN结作为栅结,形成单向导电的整流接触。它可以用硅材料制造,但更多的是用GaAs或其他Ⅲ-V族混晶化合物半导体材料制成。MESFET的基本结构首先是在半绝缘衬底上进行选择性离子注入形成有源层,再在其表面制作源和漏的两个欧姆电极,并在两者之间制作势垒肖特基的栅电极,形成三端结构。栅耗尽层下面的有源层部分称为沟道。在GaAs MESFET中,由于电子比空穴的迁移率大,因而通常用以电子为载流子的N型作为有源层。N型有源层由向半绝缘的GaAs衬底注入Se+获得,注入层厚大约0. lym;也可以是薄的N型GaAs外延层。作为高阻抗的衬底GaAs材料,其阻抗高达i09Q.cm,因而大大减少了寄生电容且工艺简单,加土电子迁移率高这一优点,使得这种器件的传输时间短,反应速度快,广泛应用于微波和超高速领域。

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PS21065-Y PS2501-1-E3 PS2561AL1-1-V-A PS2702-1-F3-A PS2706-1-E4 PS2761 PS2811-1-F4 PS391ESEE PS7500FE64QC-C PS9117A-F3-A