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1N5806US产品参数
型号:1N5806US
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:BKC SEMICONDUCTORS INC
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.11
Is Samacsys:N
应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.875 V
JESD-30 代码:O-MELF-R2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:35 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最大输出电流:2.5 A
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:150 V
最大反向恢复时间:0.025 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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