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  • 1N5814图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装DO-203 
  • 批号21+ 
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  • 深圳市领航达电子有限公司

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  • 数量1950 
  • 厂家MSC 
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 厂家MICROCHIP 
  • 封装只做原装 
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  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家Microsemi 
  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装SMD 
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1N5814产品参数
型号:1N5814
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1
针数:1
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.21
Is Samacsys:N
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
应用:ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.9 V
JEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:1
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:20 A
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:10 µA
最大反向恢复时间:0.035 µs
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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