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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 封装HALF-PAK 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家INTERNATIONALRECTIFIER 
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产品型号125NQ015的概述

芯片125NQ015的概述 125NQ015是一款高性能的非易失性存储器芯片,广泛应用于嵌入式系统及各种消费电子产品中。该芯片基于闪存技术,支持串行接口通信,通常用于数据存储、配置和固件更新等场景。随着智能设备和物联网技术的蓬勃发展,125NQ015等非易失性存储器的重要性逐渐显现。 该芯片的主要特点包括高读写速度、低功耗、高耐久性以及良好的数据保留能力。这些特性使得125NQ015在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中具有广泛的应用前景。 芯片125NQ015的详细参数 125NQ015的主要技术参数包括: - 存储容量: 16 Mbit(2 MB) - 工作电压: 2.7V到3.6V - 读写速度: 连续读取速度通常可达到50 MHz,编程和擦除时间相对较短。 - 数据保持时间: 通常在85℃下可以保持数据长达20年。 - 写入次数(耐久性): 每个存储单元可支持约100,000...

产品型号125NQ015的Datasheet PDF文件预览

PD-2.275 rev. A 12/97  
125NQ015  
SCHOTTKY RECTIFIER  
120 Amp  
Major Ratings and Characteristics  
Description/Features  
The 125NQ015 high current Schottky rectifier module has  
been optimized for ultra low forward voltage drop specifically  
fortheOR-ingofparallelpowersupplies.Theproprietarybarrier  
technology allows for reliable operation up to 100 °C junction  
temperature. Typical applications are in parallel switching  
power supplies, converters, reverse battery protection, and  
redundantpowersubsystems.  
Characteristics  
125NQ015 Units  
I
Rectangular  
waveform  
120  
A
F(AV)  
V
I
15  
V
A
V
RRM  
100 °C T operation  
J
@tp=5µssine  
10,800  
0.33  
Uniquehighpower,Half-Pakmodule  
Optimized for OR-ing applications  
Ultralowforwardvoltagedrop  
Highfrequencyoperation  
FSM  
V
@120Apk,T =75°C  
J
F
J
T
range  
-55to100  
°C  
Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
CASESTYLEANDDIMENSIONS  
Outline HALF PAK Module  
Dimensions in millimeters and inches  
www.irf.com  
1
125NQ015  
PD-2.275 rev. A 12/97  
Voltage Ratings  
Part number  
125NQ015  
VR  
Max. DC Reverse Voltage (V)  
15  
25  
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
125NQ Units  
Conditions  
IF(AV) Max.AverageForwardCurrent  
*SeeFig.5  
120  
A
50%dutycycle@TC=71°C,rectangularwaveform  
Followinganyrated  
loadconditionand  
withratedVRRMapplied  
IFSM Max.PeakOneCycleNon-Repetitive  
SurgeCurrent*SeeFig.7  
10,800  
5µs Sineor3µsRect.pulse  
10msSineor6msRect. pulse  
A
1700  
EAS Non-RepetitiveAvalancheEnergy  
9
2
mJ  
A
TJ=25°C, IAS=2Amps,L=4.5mH  
IAR  
RepetitiveAvalancheCurrent  
Currentdecayinglinearlytozeroin1µsec  
FrequencylimitedbyTJ max.VA =3xVR typical  
Electrical Specifications  
Parameters  
VFM Max. Forward Voltage Drop  
* See Fig. 1  
125NQ Units  
Conditions  
(1)  
0.39  
0.52  
0.33  
0.45  
40  
V
V
@ 120A  
TJ = 25 °C  
@ 240A  
V
@ 120A  
TJ = 75 °C  
V
@ 240A  
IRM Max. ReverseLeakageCurrent(1)  
* See Fig. 2  
mA  
mA  
mA  
mA  
pF  
nH  
TJ = 25 °C  
VR = rated VR  
2000  
1780  
1080  
7700  
7.0  
TJ = 100 °C  
TJ = 100 °C  
TJ = 100 °C  
VR = 12V  
VR 5V  
=
CT  
LS  
Max. Junction Capacitance  
Typical Series Inductance  
VR = 5VDC, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C  
From top of terminal hole to mounting plane  
dv/dt Max. Voltage Rate of Change  
(RatedVR)  
10,000 V/ µs  
(1) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%  
Thermal-Mechanical Specifications  
Parameters  
125NQ Units  
Conditions  
TJ  
Max.JunctionTemperatureRange  
-55to100 °C  
-55to100 °C  
0.40  
Tstg Max.StorageTemperatureRange  
RthJC Max.ThermalResistanceJunction  
toCase  
°C/W DCoperation  
*SeeFig.4  
RthCS TypicalThermalResistance,Caseto  
Heatsink  
0.15  
°C/W Mountingsurface,smoothandgreased  
wt  
T
ApproximateWeight  
MountingTorque  
25.6(0.9) g(oz.)  
40(35)  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Non-lubricatedthreads  
58(50)  
Kg-cm  
58(50) (Ibf-in)  
TerminalTorque  
CaseStyle  
86(75)  
HALF PAK Module  
2
www.irf.com  
InstantaneousForwardCurrent -I (A)  
F
Thermal Impedance-Z  
thJC  
(°C/W)  
Junction Capacitance - C (pF)  
T
ReverseCurrent -I (mA)  
R
AllowableCaseTemperature-(°C)  
Non-Repetitive Surge Current - I  
(A)  
FSM  
Average Power Loss - (Watts)  
配单直通车
125NQ015产品参数
型号:125NQ015
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:R-PUFM-X1
针数:1
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.5
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, FREEWHEELING DIODE
应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.33 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X1
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:2040 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:1
最高工作温度:125 °C
最大输出电流:120 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:15 V
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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