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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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产品型号1DI300D-100的概述

芯片1DI300D-100的概述 1DI300D-100是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管),广泛应用于电力电子设备中,如变频器、直流电源、焊接设备等。此芯片因其优异的开关特性和高温工作能力而受到广泛青睐,特别是在工业自动化和电力领域的应用中。通过提高功率转换效率和降低热损耗,1DI300D-100在现代电力电子技术中具有重要地位。 芯片1DI300D-100的详细参数 1DI300D-100的主要技术参数如下: - 最高电压(Vc):1,200V - 最大电流(Ic):300A - 典型开关时间(ton):150ns - 典型关断时间(toff):250ns - 饱和电压(Vcesat):1.8V - 工作温度:-40°C至+150°C - 封装类型:标准IGBT模块封装(通常为通用型的D2PAK或类似) 这些参数显示了该芯片在高电压、大电流下良好的开关性能能力,且其优越的温度...

产品型号1DI300D-100的Datasheet PDF文件预览

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  
配单直通车
1DI300D-100产品参数
型号:1DI300D-100
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X6
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
最大集电极电流 (IC):300 A
集电极-发射极最大电压:1000 V
配置:DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100
最大降落时间(tf):3000 ns
JESD-30 代码:R-PUFM-X6
元件数量:1
端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:2000 W
最大功率耗散 (Abs):2000 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):2500 ns
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):18000 ns
最大开启时间(吨):2500 ns
Base Number Matches:1
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