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  • 1DI400A-120图
  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 数量6582 
  • 厂家GTR【模块专卖★价格最低】 
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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 厂家FUJI/富士电机 
  • 封装厂家直销.IGBT模块.可控硅模块二极管整流桥 
  • 批号19+ 
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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 1DI400A-120
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  • 厂家型号(1U 1200/1400V)GTR 
  • 封装原厂封装 
  • 批号23+ 
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配单直通车
1DI400A-120产品参数
型号:1DI400A-120
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-MUFM-X2
针数:7
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
最大集电极电流 (IC):400 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100
最大降落时间(tf):3000 ns
JESD-30 代码:R-MUFM-X2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:3120 W
最大功率耗散 (Abs):3120 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):3000 ns
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):18000 ns
最大开启时间(吨):3000 ns
VCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1
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