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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • ◆★█【IGBT模块专卖】★价格最低★!量大可定!欢迎惠顾!(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 北京创易科技有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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1MBI400NN-120产品参数
型号:1MBI400NN-120
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FUJI ELECTRIC CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):400 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND CURRENT LIMITING CIRCUIT
最大降落时间(tf):500 ns
JESD-30 代码:R-XUFM-X4
元件数量:1
端子数量:4
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:2600 W
最大功率耗散 (Abs):2600 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1050 ns
标称接通时间 (ton):750 ns
VCEsat-Max:3.3 V
Base Number Matches:1
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