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1N3768R产品参数
型号:1N3768R
是否无铅:不含铅
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:GENESIC SEMICONDUCTOR INC
包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.02
Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 V
JEDEC-95代码:DO-5
JESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:475 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:1
最高工作温度:190 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:35 A
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:10 µA
表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
Base Number Matches:1
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