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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 1N4150W-GS08图
  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 厂家VISHAY 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 厂家VISHAY 
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  • 原装现货库存 低价出售 欢迎加Q详谈 诚信经营 可长期合作
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 全新原装部分现货其他订货
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配单直通车
1N4150W-HE3-08产品参数
型号:1N4150W-HE3-08
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:0.81
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.41 W
参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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