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1N4386产品参数
型号:1N4386
生命周期:Active
IHS 制造商:ASI SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1
针数:1
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.38
Is Samacsys:N
其他特性:MULTIPLIER VARACTOR
最小击穿电压:250 V
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
最大二极管电容:50 pF
最小二极管电容:20 pF
标称二极管电容:50 pF
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:STEP RECOVERY DIODE
JEDEC-95代码:DO-4
JESD-30 代码:O-MUPM-D1
元件数量:1
端子数量:1
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
最大功率耗散:20 W
认证状态:Not Qualified
最小质量因数:75
最大重复峰值反向电压:250 V
子类别:Varactors
表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
Base Number Matches:1
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