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1N5221B(DO-35)产品参数
型号:1N5221B(DO-35)
生命周期:Transferred
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.02
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204AA
JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:1200 Ω
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.417 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:2.4 V
最大反向电流:100 µA
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:
最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1
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