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  • 1N5281BE3图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 1N5281BE3
  • 数量6500000 
  • 厂家Microsemi 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
  • QQ:3008961396
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  • 1N5281BE3T/R-5000 DO35图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 1N5281BE3T/R-5000 DO35
  • 数量22000 
  • 厂家原厂品牌 
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  • QQ:2881270474QQ:2881702418
  • 0755-83789203多线 QQ:2881270474QQ:2881702418
  • 1N5281BE3/TR图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 1N5281BE3/TR
  • 数量6328 
  • 厂家MICROCHIP-微芯 
  • 封装DO-35-2 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥41一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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1N5281BE3产品参数
型号:1N5281BE3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.08
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:2500 Ω
JEDEC-95代码:DO-204AH
JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.48 W
标称参考电压:200 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%
工作测试电流:0.65 mA
Base Number Matches:1
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