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  • 1N5307TR图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • 1N5307TR
  • 数量65000 
  • 厂家CENTRALTECH 
  • 封装原厂封装 
  • 批号22+ 
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1N5307TR产品参数
型号:1N5307TR
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:DO-35
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.08
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:CURRENT REGULATOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0
最大限制电压:2 V
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.6 W
认证状态:Not Qualified
标称调节电流 (Ireg):2.4 mA
表面贴装:NO
技术:FIELD EFFECT
端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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