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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 1N5349B/TR12
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  • 1N5349B/TR12图
  • 深圳市西源信息科技有限公司

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  • 1N5349B/TR12
  • 数量8800 
  • 厂家Microchip 
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  • 原装现货零成本有接受价格就出
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  • 1N5349B/TR12图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 1N5349B/TR12
  • 数量9328 
  • 厂家MICROCHIP-微芯 
  • 封装T-18-2 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥14.1元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025

产品型号1N5349B/TR12的产品参数和1N5349B/TR12的使用说明

配单直通车
1N5349B/TR8产品参数
型号:1N5349B/TR8
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
包装说明:O-PALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.31
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W
标称参考电压:12 V
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%
工作测试电流:100 mA
Base Number Matches:1
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