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1N5417C.TR产品参数
型号:1N5417C.TR
生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:1.99
其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT
应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 V
JESD-30 代码:E-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:0.075 µs
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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