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1N5613产品参数
型号:1N5613
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
包装说明:O-LALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.53
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
最小击穿电压:191 V
外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:265 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:175 V
最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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