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| 型号: | 1N5807US |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | MICROSEMI CORP |
| 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | O-LELF-R2 |
| 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
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