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  • 1N5818TR-BRKN-LF图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 1N5818T/R
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  • 厂家EIC 
  • 封装DO-41 
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  • 1N5818TRPBF图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 1N5818TRPBF
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  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装DO-204 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 1N5818TR
  • 数量236000 
  • 厂家CENTRAL-中环 
  • 封装DO-41 
  • 批号▉▉:2年内 
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配单直通车
1N5818T-G产品参数
型号:1N5818T-G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:COMCHIP TECHNOLOGY CORP
包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.6
Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:30 V
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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