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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号1N5819LT1G的概述

1N5819LT1G的概述 1N5819LT1G是一种先进的肖特基二极管,广泛用于电源管理、直流-直流转换器、逆变器以及其他需要快速开关速度和低正向压降的应用。肖特基二极管以其特有的半导体特性,提供了极高的效率和性能,成为现代电子电路设计中不可或缺的组件。由于其低正向电压降与快速回复时间,1N58...
配单直通车
1N5819M产品参数
型号:1N5819M
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:GENERAL INSTRUMENT CORP
包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.58
其他特性:LOW POWER LOSS
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V
表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY
端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END
Base Number Matches:1
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