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| 型号: | 1N5819M |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | GENERAL INSTRUMENT CORP |
| 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.58 |
| 其他特性： | LOW POWER LOSS |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
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