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1N5829R产品参数
型号:1N5829R
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:GENESIC SEMICONDUCTOR INC
包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.55
Is Samacsys:N
应用:POWER
外壳连接:ANODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.58 V
JEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:800 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:1
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:25 A
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:20 V
最大反向电流:2000 µA
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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