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  • 1N5913BPE3/TR12图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 1N5913BPE3/TR12
  • 数量27000 
  • 厂家Microsemi 
  • 封装代理Microsemi 
  • 批号23+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
  • QQ:1683311814
  • 0755-83360135 QQ:1683311814
配单直通车
1N5913BRL产品参数
型号:1N5913BRL
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:End Of Life
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:DO-41
包装说明:O-PALF-W2
针数:2
制造商包装代码:59-10
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.22
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 Ω
JEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:3.3 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:5%
工作测试电流:113.6 mA
Base Number Matches:1
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