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  • 1N60G-SOT89R-TGKW图
  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 1N60G-SOT89R-TGKW图
  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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  • 1N60G-SOT89R-TGKW
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  • 厂家UTC 
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配单直通车
1N60G-T60-K产品参数
型号:1N60G-T60-K
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.57
雪崩能效等级(Eas):50 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.2 A
最大漏极电流 (ID):1.2 A
最大漏源导通电阻:11.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):4 pF
JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):12.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):4.8 A
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):85 ns
最大开启时间(吨):80 ns
Base Number Matches:1
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