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  • 1N6327US图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 1N6327图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 封装SMD 
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  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • 1N6327JANTXV
  • 数量1680 
  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装SMD 
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  • MICROSEMI专营品牌进口原装现货假一赔十
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  • 1N6327DUS/TR图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 1N6327DUS/TR
  • 数量2368 
  • 厂家MICROCHIP-微芯 
  • 封装DO-213 
  • 批号▉▉:2年内 
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1N6327产品参数
型号:1N6327
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:SENSITRON SEMICONDUCTOR
包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.44
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:8 Ω
JEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:13 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%
工作测试电流:9.5 mA
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