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    1N6378HE3/51相关文章

配单直通车
1N6378HE3/54产品参数
型号:1N6378HE3/54
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
包装说明:O-PALF-W2
针数:2
制造商包装代码:CASE 1.5KE
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.71
Is Samacsys:N
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:21.2 V
击穿电压标称值:21.2 V
外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:24.2 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:6.5 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:18 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
Base Number Matches:1
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