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| 型号: | 1N6383/1 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 包装说明： | O-PALF-W2 |
| 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.34 |
| 最小击穿电压： | 11.7 V |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 6.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 10 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
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