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  • 1N829E3图
  • 深圳市华科泰电子商行

     该会员已使用本站13年以上
  • 1N829E3
  • 数量300000 
  • 厂家Microchip Technology 
  • 封装DO-204AH 
  • 批号DO-35 
  • 25+
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  • 0755-82567800 QQ:405945546QQ:1439873477
  • 1N829E3图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 1N829E3
  • 数量6328 
  • 厂家MICROCHIP-微芯 
  • 封装DO-204 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥65.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • 1N829E3图
  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • 1N829E3
  • 数量1200 
  • 厂家MICROCHIP 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 0755-83192793 QQ:2885392746QQ:2885392744
  • 1N829E3图
  • 艾润(香港)电子有限公司

     该会员已使用本站7年以上
  • 1N829E3
  • 数量16024 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
  • 批号最新年份 
  • 原厂进口正品部分现货
  • QQ:3005621736QQ:3005621736 复制
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配单直通车
1N829RL产品参数
型号:1N829RL
生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.32
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.2 V
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.031 mV/ °C
最大电压容差:5%
工作测试电流:7.5 mA
Base Number Matches:1
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