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  • 深圳市龙腾新业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市富莱微科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市全源通电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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1PMT7.0AT1产品参数
型号:1PMT7.0AT1
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:DO-216AA
包装说明:PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN
针数:2
制造商包装代码:CASE 457-04
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.82
最大击穿电压:8.6 V
最小击穿电压:7.78 V
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-216AA
JESD-30 代码:S-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:200 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:7 V
最大重复峰值反向电压:7 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
最大电压容差:5%
工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1
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