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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装TVS二极管 
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 宇芯通实业(深圳)有限公司

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  • 厂家ON安森美 
  • 封装12V反向击穿电压,600W峰值功率,单向TVS 
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1SMB12AT3G产品参数
型号:1SMB12AT3G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:DO-214
包装说明:R-PDSO-C2
针数:2
制造商包装代码:403A-03
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:3.24
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW IMPEDANCE, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压:14.7 V
最小击穿电压:13.3 V
最大钳位电压:19.9 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.55 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:12 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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