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| 型号: | 1SV303 |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | End Of Life |
| IHS 制造商： | TOSHIBA CORP |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| 针数： | 2 |
| 制造商包装代码： | 1-1G1A |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | 2.5% MATCHED GROUP AVAILABLE |
| 最小击穿电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 9.68% |
| 最小二极管电容比： | 17 |
| 标称二极管电容： | 47 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 35 V |
| 最大反向电流： | 0.01 µA |
| 反向测试电压： | 32 V |
| 子类别： | Varactors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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