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2N2221 Datasheet技术文件下载

2N2221产品参数和技术文档

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2N2221产品参考价格

2N2221产品参数

品牌:
ON Semiconductor
描述:
NPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 800mA 500mW Through Hole TO-18
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
散装
零件状态
停產
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
800mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
40 @ 150mA,10V
功率 - 最大值
500mW
频率 - 跃迁
-
工作温度
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装
TO-18
基本零件编号
2N2221
标准包装
250
其它名称
2N2221.
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
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  • 询价
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