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| 型号: | 2SA1257-5-TB-E |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.75 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.08 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3.2 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 0.2 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.7 V |
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