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2SC2223-F13 Datasheet技术文件下载

2SC2229(TE6SAN1F,M产品参数和技术文档

2SC2223-F13产品图

2SC2229(TE6SAN1F,M产品参考价格

2SC2229(TE6SAN1F,M产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
散装
零件状态
停產
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
150V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
500mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
70 @ 10mA,5V
功率 - 最大值
800mW
频率 - 跃迁
120MHz
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装
TO-92MOD
标准包装
1
其它名称
2SC2229(TE6SAN1FM 2SC2229TE6SAN1FM
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: 292486-5 205-DSPGAT-000 2SC5103R-T 2SA478 2SK168-D 29LV640BBTC-90 2SK3359-ZK-E1 2SA1695-Y 2SC1452 2SD1152

服务电话: 0755-32882616 0755-32882615

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