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2SJ377(TE16R1,NQ)产品参数和技术文档

2SJ361产品图

2SJ377(TE16R1,NQ)产品参考价格

2SJ377(TE16R1,NQ)产品参数

品牌：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
详细描述：
表面贴装 P 沟道 60V 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
190 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
630pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PW-MOLD
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
标准包装
2,000
其它名称
2SJ377 (TE16R1,NQ) 2SJ377NQTR 2SJ377TE16R1NQ
型号： 厂家： 批号： 封装： 型号完全相同
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产品索引： 2SC4577 2SD687 2SC5124 2SD882S 2SK3051 2SJ389 20CTH03FP 2N4915 2013 2SC3180

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