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2SJ377(TE16R1,NQ)产品参数和技术文档

2SJ361产品图

2SJ377(TE16R1,NQ)产品参考价格

2SJ377(TE16R1,NQ)产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
详细描述:
表面贴装 P 沟道 60V 5A(Ta) 20W(Tc) PW-MOLD
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
190 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
22nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
630pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
20W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PW-MOLD
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,000
其它名称
2SJ377 (TE16R1,NQ) 2SJ377NQTR 2SJ377TE16R1NQ
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
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  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • 2SJ361
  • 深圳市金煌鑫科技有限公司

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产品索引: 2SC4577 2SD687 2SC5124 2SD882S 2SK3051 2SJ389 20CTH03FP 2N4915 2013 2SC3180

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