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2SJ610(TE16L1,NQ)产品参数和技术文档

2SJ533-E产品图

2SJ610(TE16L1,NQ)产品参考价格

2SJ610(TE16L1,NQ)产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
详细描述:
表面贴装 P 沟道 250V 2A(Ta) 20W(Ta) PW-MOLD
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.55 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
24nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
381pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
20W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PW-MOLD
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,000
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: 2764179 20TQC33MYFD 2N7002AQ-13 2-33476-1 277162-1 2-1609109-2 2512R-153G 255103-01-36.00 2500R-26H 2455R83610021

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