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2SJ6810D Datasheet技术文件下载

2SJ687-ZK-E1-AY产品参数和技术文档

2SJ6810D产品图

2SJ687-ZK-E1-AY产品参考价格

2SJ687-ZK-E1-AY产品参数

品牌:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20V 20A(Tc) 1W(Ta),36W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
制造商
Renesas Electronics America
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
7 毫欧 @ 10A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
57nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4400pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta),36W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252(MP-3ZK)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
1
其它名称
2SJ687-ZK-E1-AYCT 2SJ687ZKE1AY
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
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  • 日期
  • 询价
  • 2SJ6810D
    优势库存
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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