快速发布采购 管理采购信息
型号起始字母索引:ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

2SK1938-01 Datasheet技术文件下载

2SK2009TE85LF产品参数和技术文档

2SK1938-01产品图

2SK2009TE85LF产品参考价格

2SK2009TE85LF产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59-3
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2欧姆 @ 50MA,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100µA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
70pF @ 3V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SC-59-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装
3,000
其它名称
2SK2009 (TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) 2SK2009TE85LFTR
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: 2SK2681 20PS-JMCS-G-1B-TF 24WC04L 2SC5502DT 2SD668AVC 25Q64FVIG 2AS3-0007 2SA497XY 2N2686 2SD900

服务电话: 0755-32882616 0755-32882615

©2018 IC37网 版权所有:深圳市碧海网络科技有限公司 版权申明

公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6