[ ETC ] 2SK1721 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 500V V( BR ) DSS | 3A I( D) | TO- 251VAR\n

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251VAR

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2SK1775-E 品牌:Renesas Electronics America

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK1775-E 图片
制造商
Renesas Electronics America
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.6 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1730pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
60W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
标准包装
1

[ SANYO ] 2SK1724 Datasheet下载

厂商:

SANYO SEMICON DEVICE

SANYO

SANYO SEMICON DEVICE

描述:

超高速开关应用

Very High-Speed Switching Applications

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[ SANYO ] 2SK1725 Datasheet下载

厂商:

SANYO SEMICON DEVICE

SANYO

SANYO SEMICON DEVICE

描述:

超高速开关应用

Very High-Speed Switching Applications

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[ SANYO ] 2SK1726 Datasheet下载

厂商:

SANYO SEMICON DEVICE

SANYO

SANYO SEMICON DEVICE

描述:

超高速开关应用

Very High-Speed Switching Applications

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[ SANYO ] 2SK1727 Datasheet下载

厂商:

SANYO SEMICON DEVICE

SANYO

SANYO SEMICON DEVICE

描述:

超高速开关应用

Very High-Speed Switching Applications

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[ SANYO ] 2SK1728 Datasheet下载

厂商:

SANYO SEMICON DEVICE

SANYO

SANYO SEMICON DEVICE

描述:

超高速开关应用

Very High-Speed Switching Applications

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[ SANYO ] 2SK1729 Datasheet下载

厂商:

SANYO SEMICON DEVICE

SANYO

SANYO SEMICON DEVICE

描述:

超高速开关应用

Very High-Speed Switching Applications

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[ SANYO ] 2SK1730 Datasheet下载

厂商:

SANYO SEMICON DEVICE

SANYO

SANYO SEMICON DEVICE

描述:

超高速开关应用

Very High-Speed Switching Applications

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2SK1828TE85LF 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK1828TE85LF 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
40欧姆 @ 10mA,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100µA
Vgs(最大值)
10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5.5pF @ 3V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SC-59
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装
3,000
其它名称
2SK1828(TE85L,F) 2SK1828TE85LFTR
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

2SK1828TE85LF 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK1828TE85LF 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
40欧姆 @ 10mA,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100µA
Vgs(最大值)
10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5.5pF @ 3V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SC-59
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装
1
其它名称
2SK1828TE85LFCT
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • 2SK1721
  • 晶体管| MOSFET | N沟道| 500V V( BR ) DSS | 3A I( D) | TO- 251VAR\n
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251VAR

  • ETC
  • 总6页

  • 2.
  • 2SK1724
  • 超高速开关应用
    Very High-Speed Switching Applications

  • SANYO
  • 总3页

  • 3.
  • 2SK1725
  • 超高速开关应用
    Very High-Speed Switching Applications

  • SANYO
  • 总3页

  • 4.
  • 2SK1726
  • 超高速开关应用
    Very High-Speed Switching Applications

  • SANYO
  • 总3页

  • 5.
  • 2SK1727
  • 超高速开关应用
    Very High-Speed Switching Applications

  • SANYO
  • 总3页

  • 6.
  • 2SK1728
  • 超高速开关应用
    Very High-Speed Switching Applications

  • SANYO
  • 总3页

  • 7.
  • 2SK1729
  • 超高速开关应用
    Very High-Speed Switching Applications

  • SANYO
  • 总3页

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