[ NEC ] 2SK3299 Datasheet下载

厂商:

NEC

NEC

NEC

描述:

切换N沟道功率MOS FET工业用

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3309(Q) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK3309(Q) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
450V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
650 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
920pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
65W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FL
封装/外壳
TO-220-3(SMT)标片
标准包装
50
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

[ KEXIN ] 2SK3299 Datasheet下载

厂商:

GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

KEXIN

GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

描述:

MOS场效应

MOS Field Effect Transistor

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[ TYSEMI ] 2SK3299 Datasheet下载

厂商:

TY Semiconductor Co., Ltd

TYSEMI

TY Semiconductor Co., Ltd

描述:

低栅极电荷Qg = 34 NC TYP 。 ( VDD = 450 V, VGS = 10V , ID = 10A)

Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)

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[ NEC ] 2SK3299-S Datasheet下载

厂商:

NEC

NEC

NEC

描述:

切换N沟道功率MOS FET工业用

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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[ NEC ] 2SK3299-ZJ Datasheet下载

厂商:

NEC

NEC

NEC

描述:

切换N沟道功率MOS FET工业用

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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[ ETC ] 2SK33 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

2SK33

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[ TOSHIBA ] 2SK330 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

硅N沟道结型音频放大器,模拟开关,恒定电流和阻抗转换器应用

Silicon N Channel Junction Type For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current and Impedance Converter Applications

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[ TOSHIBA ] 2SK330 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

N沟道结型(对音频放大器,模拟开关,恒定电流和阻抗变换器应用)

N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER, ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS)

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2SK3309(TE24L,Q) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK3309(TE24L,Q) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
450V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
650 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
920pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
65W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-220SM
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
1,000

2SK3313(Q) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK3313(Q) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
散装
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
620 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
45nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2040pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220NIS
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
50
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
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  • 1.
  • 2SK3298
  • 切换N沟道功率MOS FET工业用
    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

  • NEC
  • 总8页

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