[ KEXIN ] 2SK3456 Datasheet下载

厂商:

GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

KEXIN

GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

描述:

MOS场效应

MOS Field Effect Transistor

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2SK3462(TE16L1,NQ) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK3462(TE16L1,NQ) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.7 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
12nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
267pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
20W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PW-MOLD
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

[ NEC ] 2SK3456 Datasheet下载

厂商:

NEC

NEC

NEC

描述:

切换N沟道功率MOSFET

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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[ TYSEMI ] 2SK3456 Datasheet下载

厂商:

TY Semiconductor Co., Ltd

TYSEMI

TY Semiconductor Co., Ltd

描述:

低栅极电荷Qg = 30 NC TYP 。 ( VDD = 400 V , VGS = 10V , ID = 12 A)

Low gate charge QG = 30 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 12 A)

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[ NEC ] 2SK3456-S Datasheet下载

厂商:

NEC

NEC

NEC

描述:

切换N沟道功率MOSFET

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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[ NEC ] 2SK3456-ZJ Datasheet下载

厂商:

NEC

NEC

NEC

描述:

切换N沟道功率MOSFET

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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[ NEC ] 2SK3457 Datasheet下载

厂商:

NEC

NEC

NEC

描述:

切换N沟道功率MOSFET

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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[ NEC ] 2SK3458 Datasheet下载

厂商:

NEC

NEC

NEC

描述:

切换N沟道功率MOSFET

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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[ KEXIN ] 2SK3458 Datasheet下载

厂商:

GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

KEXIN

GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

描述:

MOS场效应

MOS Field Effect Transistor

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2SK3466(TE24L,Q) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK3466(TE24L,Q) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
17nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
780pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
50W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
4-TFP(9.2x9.2)
封装/外壳
SC-97
标准包装
1,500

2SK3475TE12LF 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
图片:
2SK3475TE12LF 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
Digi-Key 停产
晶体管类型
N 通道
频率
520MHz
增益
14.9dB
电压 - 测试
7.2V
额定电流
1A
噪声系数
-
电流 - 测试
50mA
功率 - 输出
630mW
电压 - 额定
20V
封装/外壳
TO-243AA
供应商器件封装
SC-62
标准包装
1
其它名称
2SK3475TE12LFCT
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • 2SK3455
  • 切换N沟道功率MOSFET
    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

  • NEC
  • 总8页

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