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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 批号2023+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • ▉▉¥1.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 只做原装正品,深圳现货库存
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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
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  • 深圳市恒嘉威智能科技有限公司

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  • 原装正品价格绝对优势
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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 0755-21008751 QQ:3008961396

产品型号2DB1689-7的概述

芯片2DB1689-7的概述 芯片2DB1689-7是一款高度集成的功率半导体器件,广泛应用于各类电子设备中。作为一款双极晶体管(BJT),其主要作用是作为开关或放大器,能够处理不同电流和电压的信号。这款芯片在工业和消费电子领域受到了广泛的关注,尤其是在电源管理和信号处理应用中的潜力被充分挖掘。 2DB1689-7以其出色的电流处理能力和较低的导通电阻而著称,能够在高温和高压环境下稳定工作。它的设计旨在满足当前电子设备对小型化、高效率和可靠性的要求。该芯片的封装和引脚配置设计也使其在实际电路应用中更加便捷,提高了用户的使用体验。 芯片2DB1689-7的详细参数 在该芯片的详细参数中,首先要提及其额定工作电压和电流。这款芯片的最大集电极到基极电压(V_CBO)可达80V,而它的最大集电极电流(I_C)则可达到3A。此外,2DB1689-7的频率响应也相当不错,涵盖了多种应用场景所需的频...

产品型号2DB1689-7的Datasheet PDF文件预览

2DB1689  
LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
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Features  
Mechanical Data  
Epitaxial Planar Die Construction  
Case: SOT-323  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish Matte Tin annealed over Alloy42 leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Complementary NPN Type Available (2DD2652)  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green Device" (Note 2)  
C
E
B
Top View  
Device Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-15  
-12  
-6  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
V
Collector Current - Continuous  
Peak Pulse Collector Current  
-1.5  
-3  
A
A
ICM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Value  
300  
Unit  
mW  
Power Dissipation (Note 3) @ TA = 25°C  
PD  
417  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3) @ TA = 25°C  
Power Dissipation (Note 4) @ TA = 25°C  
°C/W  
mW  
Rθ  
JA  
500  
PD  
250  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 4) @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
°C/W  
°C  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Conditions  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 5)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
-15  
-12  
-6  
V
V
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
I
I
I
C = -10μA, IE = 0  
C = -1mA, IB = 0  
E = -10μA, IC = 0  
V
-0.1  
μA  
μA  
VCB = -15V, IE = 0  
VEB = -6V, IC = 0  
Emitter Cut-Off Current  
-0.1  
IEBO  
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
-110  
-200  
680  
mV  
VCE(SAT)  
hFE  
270  
IC = -500mA, IB = -25mA  
VCE = -2V, IC = -200mA  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
VCB = -10V, IE = 0,  
f = 1MHz  
Output Capacitance  
8.5  
pF  
Cobo  
fT  
V
CE = -2V, IC = -100mA,  
Current Gain-Bandwidth Product  
300  
MHz  
f = 100MHz  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diode’s Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.  
4. Device mounted on FR-4 PCB with 1 inch2 copper pad layout.  
5. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs. Duty cycle 2%.  
1 of 4  
www.diodes.com  
December 2008  
© Diodes Incorporated  
2DB1689  
Document number: DS31639 Rev. 2 - 2  
2DB1689  
0.6  
0.5  
1.2  
1.0  
I
I
= -5mA  
= -4mA  
B
I
B
0.4  
0.3  
0.2  
0.8  
0.6  
0.4  
= -3mA  
= -2mA  
B
(Note 4)  
I
B
(Note 3)  
I
= -1mA  
B
0.2  
0
0.1  
0
0
1
2
3
4
5
200  
0
175  
25  
50  
150  
75 100 125  
-VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)  
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
Fig. 2 Typical Collector Current  
vs. Collector-Emitter Voltage  
Fig. 1 Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
1,000  
1
T
= 150°C  
A
V
= -2V  
CE  
T
= 85°C  
= 25°C  
A
I
/I = 20  
B
T
C
A
T
= -55°C  
A
T
= 150°C  
A
T
= 85°C  
A
0.1  
100  
T
= 25°C  
A
T
= -55°C  
A
10  
0.1  
0.01  
1
10  
-IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  
Fig. 3 Typical DC Current Gain vs. Collector Current  
100  
1,000 10,000  
0.1  
1
10  
100  
1,000 10,000  
-IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  
Fig. 4 Typical Collector-Emitter Saturation Voltage  
vs. Collector Current  
1.2  
1.0  
1.2  
1.0  
V
= -2V  
CE  
I
/I = 20  
B
C
0.8  
0.8  
0.6  
T
= -55°C  
T
= -55°C  
A
A
0.6  
0.4  
T
= 25°C  
= 85°C  
A
T
= 25°C  
= 85°C  
A
0.4  
T
A
T
A
T
= 150°C  
A
0.2  
0
0.2  
0
T
= 150°C  
A
0.1  
1
10  
100  
1,000 10,000  
0.1  
1
10  
100  
1,000 10,000  
-IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  
-IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  
Fig. 5 Typical Base-Emitter Turn-On Voltage  
vs. Collector Current  
Fig. 6 Typical Base-Emitter Saturation Voltage  
vs. Collector Current  
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2DB1689  
Document number: DS31639 Rev. 2 - 2  
2DB1689  
100  
10  
1
f = 1MHz  
C
ibo  
C
obo  
0.1  
1
10  
100  
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
Fig. 7 Typical Capacitance Characteristics  
Ordering Information (Note 6)  
Part Number  
Case  
Packaging  
2DB1689-7  
SOT-323  
3000/Tape & Reel  
Notes:  
6. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.  
Marking Information  
RP2 = Product Type Marking Code  
YM = Date Code Marking  
Y = Year (ex: V = 2008)  
RP2  
M = Month (ex: 9 = September)  
Date Code Key  
Year  
2008  
2009  
2010  
2011  
2012  
2013  
2014  
2015  
Code  
V
W
X
Y
Z
A
B
C
Month  
Code  
Jan  
1
Feb  
2
Mar  
3
Apr  
4
May  
5
Jun  
6
Jul  
7
Aug  
8
Sep  
9
Oct  
O
Nov  
N
Dec  
D
Package Outline Dimensions  
A
SOT-323  
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
K
L
Min  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
-
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
Typ  
0.30  
1.30  
2.10  
0.65  
1.30  
2.15  
0.05  
1.00  
0.30  
0.11  
-
0.25  
1.15  
2.00  
-
1.20  
1.80  
0.0  
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
C
B
G
H
K
M
M
α
J
L
D
All Dimensions in mm  
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2DB1689  
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2DB1689  
Suggested Pad Layout  
Y
Dimensions Value (in mm)  
Z
X
Y
C
E
2.8  
0.7  
0.9  
1.9  
1.0  
Z
C
E
X
IMPORTANT NOTICE  
Diodes Incorporated and its subsidiaries reserve the right to make modifications, enhancements, improvements, corrections or other changes  
without further notice to any product herein. Diodes Incorporated does not assume any liability arising out of the application or use of any product  
described herein; neither does it convey any license under its patent rights, nor the rights of others. The user of products in such applications shall  
assume all risks of such use and will agree to hold Diodes Incorporated and all the companies whose products are represented on our website,  
harmless against all damages.  
LIFE SUPPORT  
Diodes Incorporated products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the expressed written  
approval of the President of Diodes Incorporated.  
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配单直通车
2DB1689-7产品参数
型号:2DB1689-7
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.75
最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):270
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1
  •  
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