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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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    • 批号2023+ 
    • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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    • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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    • 深圳市集创讯科技有限公司

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    • 厂家DIODES/美台 
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    • 批号24+ 
    • 原装进口正品现货，假一罚十价格优势
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    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • 数量100000 
    • 厂家Diodes Incorporated 
    • 封装N/A 
    • 批号16+ 
    • 原装正品，假一罚十
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    • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
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    • 北京首天国际有限公司

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    • 数量5288 
    • 厂家DIODES 
    • 封装SOT89 
    • 批号16+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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    • 010-62565447 QQ:528164397QQ:1318502189
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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • 数量9328 
    • 厂家DIODES-美台 
    • 封装SOT-89-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥3.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 厂家Diodes Inc. 
    • 封装贴/插片 
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    • 百分百原装正品，现货库存
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    • 010-62104931 QQ:857273081QQ:1594462451
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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • 数量865000 
    • 厂家DIODES/美台 
    • 封装SOT-89 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
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    • 0755-83225692 QQ:2881475757
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    • 昂富（深圳）电子科技有限公司

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    • 数量34934 
    • 厂家DIODES/美台 
    • 封装SOT893L 
    • 批号23+ 
    • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
    • QQ:GTY82dX7
    • 0755-23611557【陈妙华 QQ:GTY82dX7
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    • 深圳市誉兴微科技有限公司

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    • 厂家DIODES/美台 
    • 封装SOT-89 
    • 批号22+ 
    • 深圳原装现货，支持实单
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    • 0755-82579431 QQ:2252757071
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    • 深圳市三得电子有限公司

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    • 数量36000 
    • 厂家DIODES 
    • 封装SOT89 
    • 批号2024 
    • 深圳原装现货库存，欢迎咨询合作
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      QQ:565106636QQ：565106636 复制
    • 13509684848 QQ:414322027QQ:565106636
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    • 深圳市婷轩实业有限公司

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    • 数量5000 
    • 厂家Diodes Incorporated 
    • 封装SOT-89-3 
    • 批号23+ 
    • 进口原装现货热卖
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      QQ:3026548067QQ：3026548067 复制
    • 0755-89608519 QQ:2881943288QQ:3026548067
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 数量2500 
    • 厂家DIODES 
    • 封装SOT-89 
    • 批号08+ 
    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
    • QQ:1435424310QQ：1435424310 复制
    • 0755-84507451 QQ:1435424310
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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • 数量660000 
    • 厂家Diodes(达尔（美台）) 
    • 封装原厂原装 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
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    • 深圳市特拉特科技有限公司

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    • 数量18000 
    • 厂家DIODES 
    • 封装SOT-89 
    • 批号22+ 
    • 原装正品，品质保证，值得你信赖
    • QQ:709809857QQ：709809857 复制
    • 0755-82531732 QQ:709809857
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 数量5980 
    • 厂家DIODES 
    • 封装SOT-89 
    • 批号新年份 
    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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    • 075584507705 QQ:2881512844
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    • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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    • 数量20000 
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    • 封装SOT89-3 
    • 批号22+ 
    • 深圳现货库存，保证原装正品
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    • 15973558688 QQ:1940213521
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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 数量12000 
    • 厂家HAMOS/汉姆 
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    • 批号19+ 
    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
    • QQ:1092793871QQ：1092793871 复制
    • -0755-88910020 QQ:1092793871
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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 封装SOT-89-3 
    • 批号21+ 
    • ★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:5元
    • QQ:97671959QQ：97671959 复制
    • 171-4729-9698（微信同号） QQ:97671959

    产品型号2DD2661-13的概述

    芯片2DD2661-13的概述 2DD2661-13是一款功能强大的双极性集成电路芯片，广泛用于信号处理和功率控制应用。由于其高效能和可靠性，2DD2661-13在电子设备中扮演着关键角色。该芯片具有多种用途，包括音频放大器、信号转换器和电机驱动控制器等，其设计和性能使其能够适应多种电气环境的要求。 芯片2DD2661-13的详细参数 在技术参数方面，2DD2661-13的主要指标包括工作电压范围、最大输出电流、功率耗散和工作频率。具体参数如下： - 工作电压范围：通常为5V至15V，适配不同电源供应需求。 - 输出电流：最大可达1A，适合用于驱动小型负载。 - 功率耗散：在最大输出电流条件下，功率耗散约为500mW。 - 工作频率：可支持最高频率达到1MHz，适用于快速信号处理应用。 - 温度范围：工作温度范围通常在-40℃至+85℃，适合各种环境条件。 此外，该芯片内部集成了多种保...

    产品型号2DD2661-13的Datasheet PDF文件预览

    2DD2661  
    LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
    Please click here to visit our online spice models database.  
    Features  
    Mechanical Data  
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    Epitaxial Planar Die Construction  
    •
    •
    Case: SOT89-3L  
    Case Material: Molded Plastic, "Green” Molding Compound.  
    UL Flammability Classification Rating 94V-0  
    Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
    Terminals: Finish — Matte Tin annealed over Copper leadframe  
    (Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
    Marking Information: See Page 3  
    Ordering Information: See Page 3  
    Weight: 0.072 grams (approximate)  
    Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
    Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications  
    Complementary PNP Type Available (2DB1697)  
    Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
    "Green" Device (Note 2)  
    •
    •
    •
    •
    •
    TOR  
    LLEC  
    CO  
    2,4  
    3 E  
    2 C  
    1 B  
    C 4  
    T
    1
    ASE  
    B
    3
    EMITTER  
    VI  
    EW  
    OP  
    Top View  
    Device Schematic  
    Pin Out Configuration  
    Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
    Characteristic  
    Collector-Base Voltage  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    Symbol  
    VCBO  
    VCEO  
    VEBO  
    ICM  
    Value  
    Unit  
    V
    V
    V
    A
    15  
    12  
    6
    Peak Pulse Current  
    4
    Continuous Collector Current  
    2
    A
    IC  
    Thermal Characteristics  
    Characteristic  
    Power Dissipation (Note 3) @ TA = 25°C  
    Symbol  
    PD  
    Value  
    0.9  
    Unit  
    W
    139  
    °C/W  
    W
    Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3) @ TA = 25°C  
    Power Dissipation (Note 4) @ TA = 25°C  
    Rθ  
    JA  
    2
    PD  
    62.5  
    °C/W  
    °C  
    Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 4) @ TA = 25°C  
    Operating and Storage Temperature Range  
    Rθ  
    JA  
    -55 to +150  
    TJ, TSTG  
    Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
    Characteristic  
    OFF CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Min  
    Typ  
    Max  
    Unit  
    Conditions  
    Collector-Base Breakdown Voltage  
    Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 5)  
    Emitter-Base Breakdown Voltage  
    Collector Cut-Off Current  
    15  
    12  
    6
    V
    V
    V(BR)CBO  
    V(BR)CEO  
    V(BR)EBO  
    ICBO  
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    I
    I
    I
    C = 10μA, IE = 0  
    C = 1mA, IB = 0  
    V
    E = 10μA, IC = 0  
    0.1  
    ⎯
    ⎯
    μA  
    μA  
    VCB = 15V, IE = 0  
    VEB = 6V, IC = 0  
    Emitter Cut-Off Current  
    0.1  
    IEBO  
    ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
    Collector-Emitter Saturation Voltage  
    DC Current Gain  
    180  
    680  
    mV  
    VCE(SAT)  
    hFE  
    ⎯
    270  
    ⎯
    ⎯
    IC = 1A, IB = 50mA  
    ⎯
    VCE = 2V, IC = 200mA  
    SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
    V
    CB = 10V, IE = 0,  
    f = 1MHz  
    CE = 2V, IC = 100mA,  
    f = 100MHz  
    Output Capacitance  
    26  
    pF  
    Cobo  
    fT  
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    V
    Current Gain-Bandwidth Product  
    170  
    MHz  
    Notes:  
    1. No purposefully added lead.  
    2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
    3. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.  
    4. Device mounted on FR-4 PCB with 1 inch2 copper pad layout.  
    5. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs. Duty cycle ≤2%.  
    1 of 4  
    www.diodes.com  
    December 2008  
    © Diodes Incorporated  
    2DD2661  
    Document number: DS31635 Rev. 2 - 2  
    2DD2661  
    2.0  
    1.6  
    1.2  
    0.8  
    2.5  
    2.0  
    I
    = 5mA  
    = 4mA  
    = 3mA  
    B
    I
    B
    1.5  
    1.0  
    I
    B
    I
    = 2mA  
    = 1mA  
    B
    0.4  
    0
    0.5  
    0
    I
    B
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    0
    25  
    TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
    Fig. 1 Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
    50  
    150  
    100  
    125  
    75  
    VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)  
    Fig. 2 Typical Collector Current  
    vs. Collector-Emitter Voltage  
    1,000  
    1
    T
    = 150°C  
    A
    I
    /I = 20  
    B
    C
    T
    = 85°C  
    = 25°C  
    A
    T
    A
    T
    = 150°C  
    A
    0.1  
    0.01  
    T
    = -55°C  
    A
    T
    = 85°C  
    A
    T
    = 25°C  
    A
    100  
    T
    = -55°C  
    A
    V
    = 2V  
    CE  
    0.001  
    10  
    1
    10  
    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  
    Fig. 3 Typical DC Current Gain vs. Collector Current  
    100  
    1,000  
    10,000  
    1
    10  
    100  
    1,000  
    10,000  
    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  
    Fig. 4 Typical Collector-Emitter Saturation Voltage  
    vs. Collector Current  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    1.2  
    1.0  
    V
    = 2V  
    I
    /I = 20  
    B
    CE  
    C
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    T
    T
    = -55°C  
    A
    T
    = -55°C  
    A
    0.6  
    0.4  
    = 25°C  
    = 85°C  
    A
    T
    T
    = 25°C  
    = 85°C  
    = 150°C  
    A
    T
    A
    A
    T
    = 150°C  
    A
    0.2  
    0
    T
    A
    0.2  
    1
    1
    10  
    100  
    1,000  
    10,000  
    10  
    100  
    1,000  
    10,000  
    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  
    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  
    Fig. 5 Typical Base-Emitter Turn-On Voltage  
    vs. Collector Current  
    Fig. 6 Typical Base-Emitter Saturation Voltage  
    vs. Collector Current  
    2 of 4  
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    December 2008  
    © Diodes Incorporated  
    2DD2661  
    Document number: DS31635 Rev. 2 - 2  
    2DD2661  
    1,000  
    100  
    10  
    1,000  
    100  
    f = 1MHz  
    C
    ibo  
    10  
    1
    V
    = 2V  
    CE  
    C
    obo  
    f = 100MHz  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    0
    10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  
    VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
    Fig. 7 Typical Capacitance Characteristics  
    Fig. 8 Typical Gain-Bandwidth Product  
    vs. Collector Current  
    Ordering Information (Note 6)  
    Part Number  
    Case  
    Packaging  
    2DD2661-13  
    SOT89-3L  
    2500/Tape & Reel  
    Notes:  
    6. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.  
    Marking Information  
    2661 = Product Type Marking Code  
    YWW  
    2661  
    YWW = Date Code Marking  
    Y = Last digit of year (ex: 8 = 2008)  
    WW = Week code 01 - 52  
    Package Outline Dimensions  
    D1  
    SOT89-3L  
    C
    Dim Min Max Typ  
    A
    B
    B1  
    C
    D
    D1  
    E
    1.40 1.60 1.50  
    0.45 0.55 0.50  
    0.37 0.47 0.42  
    0.35 0.43 0.38  
    4.40 4.60 4.50  
    1.50 1.70 1.60  
    2.40 2.60 2.50  
    E
    H
    L
    B
    e
    B1  
    e
    —
    —
    1.50  
    H
    L
    3.95 4.25 4.10  
    0.90 1.20 1.05  
    A
    All Dimensions in mm  
    D
    3 of 4  
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    December 2008  
    © Diodes Incorporated  
    2DD2661  
    Document number: DS31635 Rev. 2 - 2  
    2DD2661  
    Suggested Pad Layout  
    X1  
    Dimensions Value (in mm)  
    X1  
    X2  
    X3  
    Y1  
    Y2  
    Y3  
    C
    1.7  
    0.9  
    0.4  
    2.7  
    1.3  
    1.9  
    3.0  
    Y1  
    X3  
    X2  
    Y2  
    Y3  
    C
    IMPORTANT NOTICE  
    Diodes Incorporated and its subsidiaries reserve the right to make modifications, enhancements, improvements, corrections or other changes  
    without further notice to any product herein. Diodes Incorporated does not assume any liability arising out of the application or use of any product  
    described herein; neither does it convey any license under its patent rights, nor the rights of others. The user of products in such applications shall  
    assume all risks of such use and will agree to hold Diodes Incorporated and all the companies whose products are represented on our website,  
    harmless against all damages.  
    LIFE SUPPORT  
    Diodes Incorporated products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the expressed written  
    approval of the President of Diodes Incorporated.  
    4 of 4  
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    2DD2661  
    Document number: DS31635 Rev. 2 - 2  
    配单直通车
    2DD2661-13产品参数
    型号:2DD2661-13
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Active
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
    针数：3
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    Factory Lead Time：15 weeks
    风险等级：1.72
    外壳连接：COLLECTOR
    最大集电极电流 (IC)：2 A
    集电极-发射极最大电压：12 V
    配置：SINGLE
    最小直流电流增益 (hFE)：270
    JESD-30 代码：R-PSSO-F3
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：NPN
    最大功率耗散 (Abs)：2 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：FLAT
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    标称过渡频率 (fT)：170 MHz
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
    • 询价
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